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电子元器件回收伏安特性是指加在二极管两端的电压u与流过=极管的电流，之间的关系，即，I=f（U）。2CP12（普通型硅=极管）和2AP9（普通型锗二极管）的伏安特。（1）正向特性二极管伏妄特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线死区，对应的电压称为死区电压。硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0. 2V.当正向电压超过某一数值后， 内电场就被大大削弱，正向电流迅速增大，二极管导通，这一区域称为正向导通区。二极管一旦正向导通后，只要正向电压稍有变化，就会使正向电流变化较大，二极管的正向特性曲线很陡。因此，二极管正向导通时，管子上的正向压降不大，正向压降的变化很小，一般硅管为o. 7V左右，锗管为0. 3V左右。因此，在使用二极管时，如果外加电压较大，一般要在电路中串接限流电阻，以免产生过大电流烧坏二极管。（2）反向特性二极管伏妄特性曲线的第三象限称为反向特性，它表示外加反向电压时二极管的工作情况。在一定的反向电压范围内，反向电流很小且变化不大，这一区域称为反向截止区。这是因为反向电流是少数载流子的漂移运动形成的;一定温度下，少子的数目是基本不变的，所以反向电流基本恒定，与反向电压的大小无关，故通常称其为反向饱和电流。（3）反向击穿特性当反向电压继续增加到某一数值时，二极管中的反向电流会突然增大，我们称此时二极管发生了反向击穿，该段特性如图1.2.6的D段所示。发生反向击穿时PN结有很大的反向电流，严重时将导致PN结损坏，所以普通二极管应该避免被击穿，但稳压二 极管则必须要 I作于击穿状态，因为在击穿区虽然电流变化较大而电压却能保持基本不变，正是利用这个特性，稳压管才能够起到稳压的作用。