沙田废旧电子料回收之注意三极管内部的结电容的影响

由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”，更糟糕的是，它还会因此引起额外的相位差。

a、    由于Cbe的存在，输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器，也可以看成是一个LPF，当输入信号的频率过高时，三极管基极的电位就会有所下降，此时电压增益就随之减小。

b、    由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以，这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。

需明确把握三极管的截止频率：    这个电路图是一个等效过后的图，其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到  时，三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题，就得花心思把CL尽量减小，由此，fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管，也就是通常所说的RF晶体管；我们也可以减小RL的取值，但是这样的话得付出代价：电压增益将下降。

三极管作为开关时需注意它的可靠性：  如同二极管那样，三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压，在三极管用作开关时，输入信号可能在低电平时（0.7V

需要接受一个事实：三极管的开关速度一般不尽人意。  

  由前所述得知，器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度，但是我们还是可以想出一些办法有效地改善一下它的不足的。

沙田废旧电子料回收之逆变器前级   

  1、逆变器12V输入MOS管型号：KNX3204A、KNX2804A、KIA2404A、KNX3306B、KIA2906A 

  2、逆变器24V输入MOS管型号：KNX3306B、KIA2906A、KIA75NF75、KIA3510A  

  3、逆变器48V输入MOS管型号：KNX9120A、KNX3725A 

  4、逆变器60V输入MOS管型号：KNX9130A、KNX3725A  

  5、逆变器72V输入MOS管型号：KNX9130A

沙田废旧电子料回收之TVS二极管的优势  

  TVS与齐纳二极管：与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改进使TVS具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。  

  TVS与陶瓷电容：很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作ESD保护，不但便宜而且设计简便，但这类器件对高压的承受力却比较弱。5kV的冲击会造成约10%陶瓷电容失效，到10kV时，损坏率达到60%，而TVS可以承受15kV电压。在手持设备的使用过程中，由于与人体频繁接触，各个端口必须至少能够承受8kV接触冲击(IEC61000-4-2标准)，可见使用TVS可以有效保证最终产品的合格率。  

  TVS与MLV：多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系，截止电压可达最初中止电压的2～3倍，这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源回路。而TVS二极管具有更好的电压截止因子，同时还具有较低的电容，这一点对于手持设备的高频端口非常重要，因为过高的电容会影响数据传输，造成失真或是降级。

  TVS二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求，而且芯片结构便于集成其它的功能，如EMI和RFI过滤保护等，可有效降低器件成本，优化整体设计。  另一个不能忽略的特点是二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI过滤和RFI防护等功能与TVS集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。

沙田废旧电子料回收之电解电容是什么

  电解电容是电容的一种，物理定义就是由两个导电板，中间放置着具有介电特征的物质所组成的分立元件。电解电容分正、负极性，正极为金属箔，与正极紧贴金属的氧化膜是电介质，阴极由导电材料、电解质和其他材料共同组成，同时电解电容正负不可接错。

  电解电容分为无极性和有极性两种，无极性电解电容器采用双氧化膜结构，类似于两只有极性电解电容器将两个负极相连接后构成;有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波，退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。