怀宁铟泊回收之铟在焊接和合金领域的应用
许多合金在加入铟后，可以提高合金的强度、提高其延展性、抗磨损失和抗腐蚀性能等，从而铟被称作为“合金的维生素”这样的美名。
铟基合金具有耐磨、耐腐及热力学性能良好的特点，可用作监测辐射仪及红外仪器的涂层等。铟是软钎料，能渗透到另外金属的表层，可作为低压负荷的冷焊剂。含铟合金可浸润玻璃、陶瓷等，可在危险和有害的环境中作为焊剂金属与非金属的焊接剂。
怀宁铟泊回收之粗铟纯物质沸点判定
根据粗铟中各杂质元素的沸点不同，我们可以判定是否可以采用真空蒸馏的方法对粗铟中的杂质进行分离。低沸点的组分通常比高沸点的组分容易蒸发，在蒸馏过程中低沸点的组分挥发进入气相，而高沸点的组分则往往残留于液相当中，两者沸点差越大，越容易分离。
可以初步判断，杂质元素As、Cd、Zn、Ti、Pb的沸点低于In的沸点，在蒸馏过程中优先In挥发进入气相；而Sn、Cu、Al、Fe、Ni的沸点高于In的沸点，在蒸馏过程中基本不挥发，残余在液相中。但由于杂质元素存在使得各组分的沸点发生改变，因此，此方法只能初步判断各组分能否分离。
怀宁铟泊回收之纳米铟对于太阳能背板电池铝浆烧结的改性作用
在光伏产业链上，铝浆是作为晶体硅太阳电池的肖电场（也称肖场）存在的，就是在太阳电池的背面制作一层与基区导电类型相同的重掺杂区。
在烧结铝浆的过程中，当铝硅界面温度达到577℃以上时，铝原子以一定的比例熔入半导体晶硅中，温度降低时，铝硅合金系统冷却，硅原子在熔液中的溶解度下降，多余的硅原子从熔液中析出，形成掺有铝的外延层。那部分掺了铝的硅就与p区形成了p—p+结,这就是铝背电场。
铝浆所起作用 形成铝背p一p+结，提高开路电压； 形成硅铝合金对硅片进行有效地掺杂，提高效率； 能与硅形成牢固的欧姆接触。
铟与铝同属于第3主族，p轨道上都有1电子，性质相似，都能对硅起到掺杂作用形成p—p+结。
铟的金属性比铝更强，即活性更高，更容易与硅形成欧姆接触，更容易对硅进行有效掺杂，形成的铝背电场强度更高，载流子浓度提高，宏观上表现为电导率提高。
纳米铟大部分粒子分布在D90在80纳米以下，暴露在纳米粉体表面铟原子的活性极高，很容易对硅实现掺杂，提高晶体硅的电导率，同时小颗粒的铟粉，易于填充到微米铝粉堆积的空间中，使得导电相的排列紧密，形成导电网络，进而有助于提高电导率。
怀宁铟泊回收之氧化铟锡的要点
1、随氧气流量的增加，平行于薄膜表面之相对压应力随之增加，可能是氧空位的减少和粒子轰击效果。
2、镀层的破坏型态为一完全附着于基材之同形状的半圆形裂痕轨迹，为一张应力破坏。
3、随着氧气流量的增加镀层附着性增加，系因内应力的影响。而随着厚度的增加，受到之剪力越大，造成镀层附着性降低。
怀宁铟泊回收之粗铟判定纯物质饱和蒸气压判定
纯物质的饱和蒸气压判据就是在同一温度下，比较各组分的饱和蒸气压值，蒸气压高的组分通常比蒸气压低的组分容易蒸发，在蒸馏过程中蒸气压高的组分容易进入气相，而蒸气压低的组分往往残余于液相中，两种差距越大，越有利于分离。
在同一温度下，杂质元素Cd、Zn、Ti、Pb的饱和蒸气压远高于In的饱和蒸气压，在蒸馏过程中优先于In 挥发，进入气相，而Sn、Cu、Fe、Ni远低于In的饱和蒸气压，在蒸馏过程中基本不挥发，残余在液相中。
怀宁铟泊回收之铟的重要性
铟作为HJT战略金属，与异质结产业链有着密切的关系，从2020年8月山煤国际开始布局异质结产业链开始，铟价格便开始上涨，本轮铟价格上涨时7月26开始从1160元/kg，到最近突破阶段高点到1620元/kg附近，短短一月涨幅近50%。
铟以往主要应用于消费电子，并未有太多增量需求，而为何近期却猛涨？ 这与最近很火的异质结光伏产业链技术革新带来的刺激，而异质结光伏的未来加速发展更是主导铟价的核心驱动力量。
ITO靶材是异质结电池TCO镀膜工艺较优的选择，也是目前产业界的首选，而ITO靶材成分中，最关键的主要是氧化铟占比90%-97%，因此随着异质结光伏电池行业的大力发展，未来的需求必然大增。
怀宁铟泊回收之铟的工业来源
铟多数与其性质类似的锌、铅、铜和锡等共生，现已发现有自然铟、硫铟铁矿(FeIn2S4)、硫铟铜矿(CuInS2)、硫铜锌铟矿[(Cu，Zn，Fe)3(In，Sn)S4]和羟铟矿[In(OH)3]等5种含铟矿物。
铟在硫化矿中的含量最高，闪锌矿是主要工业来源，铜矿、方铅矿、黄锡矿与锡石也含有较高的铟，但由于产量极少，非常分散，不能作为直接生产铟的原料，一般是从锌、铅、锡等重金属冶炼的副产物中回收生产。
由于稀散金属离子在化学性质上有许多相似之处，造成分离、富集、回收上的困难，近年来，随着铟需求量不断增加，对于铟的富集、回收进行了很多的研究。
怀宁铟泊回收之影响ITO薄膜导电性能的几个因素
ITO薄膜的面电阻（R）、膜厚（d）和电阻率（ρ）三者之间是相互关联的，这三者之间的计算公式是：R=ρ/d。由公式可以看出，为了获得不同面电阻（R）的ITO薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻率。
一般来讲，制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。
而ITO薄膜的电阻率（ρ）的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键，电阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。公式ρ=m/ne2T给出了影响薄膜电阻率（ρ）的几种主要因素，n、T分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、T越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现；而载流子迁移率（T）则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（T），可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。
所以从ITO薄膜的制备工艺上来讲，ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成（包括锡含量和氧含量）有关，同时与制备ITO薄膜时的工艺条件（包括沉积时的基片温度、溅射电压等）有关。有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系。
怀宁铟泊回收之纳米氧化铟粉的应用领域
1、用于电子浆料，降低电子浆料的烧结温度；
2、用于催化剂，将CO₂转变为甲醇；
3、用于焊接合金，降低合金的熔点；
4、用于合金，提高合金的耐磨能力；
5、用于润滑油，提高润滑油的耐磨能力；
6、用于涂料，提高透明度及耐磨、耐刮、导电能力。
